Производитель Номер продукта:
TPW1R104PB,L1XHQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPW1R104PB,L1XHQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Подробное описание:
N-Channel 40 V 120A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Инвентаризация:
12939635
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPW1R104PB,L1XHQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSIX-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.14mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4560 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
960mW (Ta), 132W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-DSOP Advance
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
TPW1R104
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
264-TPW1R104PBL1XHQTR
264-TPW1R104PBL1XHQCT
TPW1R104PB,L1XHQ(O
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TPH1R104PB,L1XHQ
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7844
Номер части
TPH1R104PB,L1XHQ-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.78
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
APT5018SLLG/TR
MOSFET N-CH 500V 27A D3PAK
TJ40S04M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 40V 40A DPAK
MSC40SM120JCU2
SICFET N-CH 1.2KV 55A SOT227
