Производитель Номер продукта:
TPW5200FNH,L1Q
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPW5200FNH,L1Q-DG
Описание:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Подробное описание:
N-Channel 250 V 26A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Инвентаризация:
4822 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12989816
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPW5200FNH,L1Q Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
52mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2200 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
800mW (Ta), 142W (Tc)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-DSOP Advance
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
264-TPW5200FNH,L1QDKR
264-TPW5200FNHL1QTR-DG
264-TPW5200FNH,L1QCT
264-TPW5200FNHL1QTR
264-TPW5200FNH,L1QTR
264-TPW5200FNH,L1QTR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTMFS006N12MCT1G
POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
SIHFPS40N50L-GE3
POWER MOSFET SUPER-247, 100 M @
TK19A50W,S5X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
