TPWR8004PL,L1Q
Производитель Номер продукта:

TPWR8004PL,L1Q

Product Overview

Производитель:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер детали:

TPWR8004PL,L1Q-DG

Описание:

MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Подробное описание:
N-Channel 40 V 150A (Tc) 1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance

Инвентаризация:

8799 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890210
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

TPWR8004PL,L1Q Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSIX-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9600 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta), 170W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-DSOP Advance
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Базовый номер продукта
TPWR8004

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,000
Другие названия
TPWR8004PLL1QDKR
TPWR8004PL,L1Q(M
TPWR8004PLL1QTR
TPWR8004PLL1QCT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K09FU,LF

MOSFET N-CH 30V 400MA USM

diodes

DMN1019UVT-7

MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J143TU,LF

MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K318R,LF

MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F