Производитель Номер продукта:
TPWR8503NL,L1Q
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPWR8503NL,L1Q-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Подробное описание:
N-Channel 30 V 150A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Инвентаризация:
4927 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890308
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPWR8503NL,L1Q Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.85mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6900 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
800mW (Ta), 142W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-DSOP Advance
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Базовый номер продукта
TPWR8503
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
TPWR8503NLL1QTR
TPWR8503NLL1QDKR
TPWR8503NL,L1Q(M
TPWR8503NLL1QCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPC6011(TE85L,F,M)
MOSFET N-CH 30V 6A VS-6
2SJ377(TE16R1,NQ)
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
TK4P60DB(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK