TTC011B,Q
Производитель Номер продукта:

TTC011B,Q

Product Overview

Производитель:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер детали:

TTC011B,Q-DG

Описание:

PB-FPOWERTRANSISTORTO-126NPC=10W
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 1 A 100MHz 1.5 W Through Hole TO-126N

Инвентаризация:

180 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12988794
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

TTC011B,Q Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tray
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
1 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
230 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1.5V @ 50mA, 500mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
200nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Мощность - Макс
1.5 W
Частота - переход
100MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-225AA, TO-126-3
Комплект устройства поставщика
TO-126N

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
TTC011B

Дополнительная информация

Стандартный пакет
250
Другие названия
264-TTC011B,Q
264-TTC011BQ
264-TTC011B,Q-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Связанные продукты
hy-electronic-cayman

MMBT2222A

SMALL SIGNAL TRANSISTOR

micro-commercial-components

MMS9014HE3-L-TP

NPN TRANSISTORS, SOT-23

micro-commercial-components

BC847CHE3-TP

NPN TRANSISTORS, SOT-23

micro-commercial-components

BC807-16HE3-TP

PNP TRANSISTORS, SOT-23