Производитель Номер продукта:
TW027N65C,S1F
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TW027N65C,S1F-DG
Описание:
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH
Подробное описание:
N-Channel 650 V 58A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247
Инвентаризация:
32 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12986781
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TW027N65C,S1F Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
37mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 3mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
65 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+25V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2288 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
156W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
264-TW027N65CS1F
TW027N65C,S1F(S
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMT8030LFDF-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
STK130N4LF7AG
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V,
DMT32M5LPSW-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
