XPH4R714MC,L1XHQ
Производитель Номер продукта:

XPH4R714MC,L1XHQ

Product Overview

Производитель:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер детали:

XPH4R714MC,L1XHQ-DG

Описание:

MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP
Подробное описание:
P-Channel 40 V 60A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

Инвентаризация:

50202 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12939612
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

XPH4R714MC,L1XHQ Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVI
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+10V, -20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5640 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
960mW (Ta), 132W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP Advance (5x5)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
XPH4R714

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,000
Другие названия
264-XPH4R714MCL1XHQDKR
264-XPH4R714MCL1XHQTR
XPH4R714MC,L1XHQ(O
264-XPH4R714MCL1XHQCT

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

TJ50S06M3L,LXHQ

MOSFET P-CH 60V 50A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TK90S06N1L,LXHQ

MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

microchip-technology

MSC100SM70JCU3

SICFET N-CH 700V 124A SOT227

onsemi

NTD80N02-001

MOSFET N-CH 24V 80A IPAK