Производитель Номер продукта:
XPN6R706NC,L1XHQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
XPN6R706NC,L1XHQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Подробное описание:
N-Channel 60 V 40A (Ta) 840mW (Ta), 100W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Инвентаризация:
29285 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12938222
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
XPN6R706NC,L1XHQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
40A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 300µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2000 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
840mW (Ta), 100W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
XPN6R706
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
264-XPN6R706NCL1XHQTR
XPN6R706NC,L1XHQ(O
264-XPN6R706NCL1XHQCT
264-XPN6R706NCL1XHQDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTH4L020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
XPH3R114MC,L1XHQ
MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
TK1R4S04PB,LXHQ
MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
