Производитель Номер продукта:
XPQ1R004PB,LXHQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
XPQ1R004PB,LXHQ-DG
Описание:
40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHM
Подробное описание:
N-Channel 40 V 200A (Ta) 230W (Tc) Surface Mount L-TOGL™
Инвентаризация:
12995092
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
XPQ1R004PB,LXHQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSIX-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
200A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6890 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
230W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
L-TOGL™
Упаковка / Чехол
8-PowerBSFN
Базовый номер продукта
XPQ1R004
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
264-XPQ1R004PB,LXHQDKR
264-XPQ1R004PB,LXHQTR-DG
264-XPQ1R004PBLXHQTR
264-XPQ1R004PB,LXHQCT
264-XPQ1R004PB,LXHQCT-DG
264-XPQ1R004PB,LXHQDKR-DG
264-XPQ1R004PBLXHQCT
264-XPQ1R004PB,LXHQTR
264-XPQ1R004PBLXHQDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PSMN1R0-25YLD/1X
MOSFET
CC-CN-23-0123
SiC MOSFET 20A 1200V TO-247-3
XPQR3004PB,LXHQ
40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHM
