Производитель Номер продукта:
XPW4R10ANB,L1XHQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
XPW4R10ANB,L1XHQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
Подробное описание:
N-Channel 100 V 70A 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Инвентаризация:
16106 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12949147
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
XPW4R10ANB,L1XHQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
70A
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4970 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
170W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-DSOP Advance
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
264-XPW4R10ANB,L1XHQDKR
264-XPW4R10ANB,L1XHQTR
264-XPW4R10ANB,L1XHQCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
UF3SC065040B7S
650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
DMP2021UFDE-13
MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
IRF100P218AKMA1
MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
