Производитель Номер продукта:
TP65H035G4QS
Product Overview
Производитель:
Transphorm
Номер детали:
TP65H035G4QS-DG
Описание:
650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
Подробное описание:
N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount TOLL
Инвентаризация:
13259168
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TP65H035G4QS Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Transphorm
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
SuperGaN®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
46.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.8V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
156W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TOLL
Упаковка / Чехол
8-PowerSFN
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
1707-TP65H035G4QSDKR
TP65H035G4QS-TR
1707-TP65H035G4QSCT
1707-TP65H035G4QSTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Сертификация DIGI
Связанные продукты
GT1K2P15K
MOSFET P-CH 150V 27A TO-252
TP65H050G4YS
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
GC030N65QF
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247