Производитель Номер продукта:
TP65H050WS
Product Overview
Производитель:
Transphorm
Номер детали:
TP65H050WS-DG
Описание:
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-3
Инвентаризация:
327 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13447512
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TP65H050WS Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Transphorm
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
12V
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.8V @ 700µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1000 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
119W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
TP65H050
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RH6P030BG
TRANS MOSFET N-CH SMD
NVBG020N120SC1
MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
AONR21305C
MOSFET P-CH 30V 8DFN
