TP65H070LSG
Производитель Номер продукта:

TP65H070LSG

Product Overview

Производитель:

Transphorm

Номер детали:

TP65H070LSG-DG

Описание:

GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Подробное описание:
N-Channel 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)

Инвентаризация:

13446636
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

TP65H070LSG Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Transphorm
Упаковка
-
Серия
TP65H070L
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
85mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.8V @ 700µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
600 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
96W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
3-PQFN (8x8)
Упаковка / Чехол
3-PowerDFN
Базовый номер продукта
TP65H070

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
60

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
transphorm

TPH3206LDGB

GANFET N-CH 650V 16A PQFN

transphorm

TPH3212PS

GANFET N-CH 650V 27A TO220AB

transphorm

TPH3208LD

GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN

transphorm

TPH3206PD

GANFET N-CH 600V 17A TO220AB