1N65L
Производитель Номер продукта:

1N65L

Product Overview

Производитель:

UMW

Номер детали:

1N65L-DG

Описание:

TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 650 V 1A (Tj) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Инвентаризация:

2370 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12991442
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

1N65L Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
UMW
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
UMW
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1A (Tj)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
150 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252 (DPAK)
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
4518-1N65LDKR
4518-1N65LCT
4518-1N65LTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
utd-semiconductor

25N06

TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET

utd-semiconductor

AO3409A

30V 2.6A 130MR@10V,2.6A 1.4W 3V@

utd-semiconductor

SI2318A

SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R

utd-semiconductor

SI2308A

60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250