Производитель Номер продукта:
2N65G
Product Overview
Производитель:
UMW
Номер детали:
2N65G-DG
Описание:
SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
Подробное описание:
N-Channel 650 V 2A (Tj) Surface Mount SOT-223
Инвентаризация:
2453 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12991426
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2N65G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
UMW
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
UMW
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Tj)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
311 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-223
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Технический паспорт и документы
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
4518-2N65GDKR
4518-2N65GCT
4518-2N65GTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI2305A
20V 4.2A [email protected],4.2A 1.38W 50
1N60L
TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
AIMBG120R060M1XTMA1
SIC_DISCRETE
