Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
2N6661JTX02
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
2N6661JTX02-DG
Описание:
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Подробное описание:
N-Channel 90 V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12873273
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
B
j
1
7
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2N6661JTX02 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
90 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
860mA (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-39
Упаковка / Чехол
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Базовый номер продукта
2N6661
Дополнительная информация
Стандартный пакет
20
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
2N6661
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Solid State Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6694
Номер части
2N6661-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
4.60
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STP36N55M5
MOSFET N-CH 550V 33A TO220
STP26N65DM2
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
STF32NM50N
MOSFET N CH 500V 22A TO-220FP
STF33N60M6
MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP