Производитель Номер продукта:
2N7002E-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
2N7002E-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Подробное описание:
N-Channel 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount TO-236
Инвентаризация:
16106 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12872999
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2N7002E-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
240mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
21 pF @ 5 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
350mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-236
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
2N7002
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
2N7002E-T1-GE3TR
2N7002E-T1-GE3-DG
2N7002E-T1-GE3CT
2N7002E-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STF10LN80K5
MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP
STL220N6F7
MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
STI270N4F3
MOSFET N-CH 40V 160A I2PAK
