Производитель Номер продукта:
2N7002K-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
2N7002K-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Подробное описание:
N-Channel 60 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Инвентаризация:
903443 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12910024
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2N7002K-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
300mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
30 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
350mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
2N7002
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
2N7002K-T1-GE3CT
2N7002K-T1-GE3DKR
2N7002K-T1-GE3TR
2N7002KT1GE3
2N7002K-T1-GE3-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFIB6N60APBF
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
IRLZ44STRR
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
IRFIB8N50K
MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3
