Производитель Номер продукта:
IRC640PBF
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
IRC640PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-5
Подробное описание:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-5
Инвентаризация:
12907316
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRC640PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
Current Sensing
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-5
Упаковка / Чехол
TO-220-5
Базовый номер продукта
IRC640
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRC640PBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR310TRLPBF
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
IRLI540GPBF
MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3
IRFI9640G
MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3
