Производитель Номер продукта:
IRF610S
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
IRF610S-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 200 V 3.3A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
12907636
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF610S Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
140 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 36W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IRF610
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRF610S
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRF610SPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
320
Номер части
IRF610SPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.66
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF730STRR
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
IXTH6N90A
MOSFET N-CH 900V 6A TO247
FQI6N60CTU
MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK