IRF624PBF-BE3
Производитель Номер продукта:

IRF624PBF-BE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

IRF624PBF-BE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB

Инвентаризация:

12945882
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF624PBF-BE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
260 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
50W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IRF624

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
742-IRF624PBF-BE3

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRL630PBF-BE3

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

toshiba-semiconductor-and-storage

TK210V65Z,LQ

MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN

vishay-siliconix

IRFR1N60APBF-BE3

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

vishay-siliconix

SI1411DH-T1-BE3

MOSFET P-CH 150V 420MA SC70-6