IRF830ASPBF
Производитель Номер продукта:

IRF830ASPBF

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

IRF830ASPBF-DG

Описание:

MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Инвентаризация:

556 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12868618
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF830ASPBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
620 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IRF830

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRF830ASPBF

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRF9610

MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB

vishay-siliconix

IRF510L

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3

vishay-siliconix

IRF730ASTRL

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

nxp-semiconductors

BUK7Y25-80E/CX

MOSFET N-CH 80V 39A LFPAK56