IRF830BPBF-BE3
Производитель Номер продукта:

IRF830BPBF-BE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

IRF830BPBF-BE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB

Инвентаризация:

13 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12945868
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF830BPBF-BE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.3A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
325 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IRF830

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
742-IRF830BPBF-BE3

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI1424EDH-T1-BE3

MOSFET N-CH 20V 4A/4A SC70-6

vishay-siliconix

IRLZ34PBF-BE3

MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB

vishay-siliconix

SI1480DH-T1-BE3

MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70

vishay-siliconix

IRFR014TRLPBF-BE3

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK