IRF9610STRR
Производитель Номер продукта:

IRF9610STRR

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

IRF9610STRR-DG

Описание:

MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Подробное описание:
P-Channel 200 V 1.8A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Инвентаризация:

12893825
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF9610STRR Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
170 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 20W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IRF9610

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
800

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRFBE30

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB

taiwan-semiconductor

TSM6N50CP ROG

MOSFET N-CH 500V 5.6A TO252

diodes

DMP4050SSS-13

MOSFET P-CH 40V 4.4A 8SO

diodes

DMT6005LSS-13

MOSFET N-CH 60V 13.5A 8SO