Производитель Номер продукта:
IRF9Z30PBF
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
IRF9Z30PBF-DG
Описание:
MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Подробное описание:
P-Channel 50 V 18A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
1040 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12868063
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF9Z30PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
50 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
140mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
900 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
74W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IRF9Z30
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRF9Z30PBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF630STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
BUK9608-55,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IRFBC20SPBF
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
