Производитель Номер продукта:
IRFB11N50APBF-BE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
IRFB11N50APBF-BE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
2600 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12975915
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFB11N50APBF-BE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
520mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1423 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
170W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IRFB11
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
742-IRFB11N50APBF-BE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTD6N40-001
NFET DPAK 400V 1.1R
SQ4840EY-T1_BE3
MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC
NTDS015N15MCT4G
MOSFET N-CH 150V 11A/50A DPAK
