Производитель Номер продукта:
IRFBC20PBF-BE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
IRFBC20PBF-BE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 600 V 2.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
975 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12939407
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFBC20PBF-BE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
50W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IRFBC20
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
742-IRFBC20PBF-BE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQ2301ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
IRF740APBF-BE3
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
MSC035SMA070B4
TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4