IRFBC30SPBF
Производитель Номер продукта:

IRFBC30SPBF

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

IRFBC30SPBF-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Инвентаризация:

12908252
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRFBC30SPBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
660 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IRFBC30

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
*IRFBC30SPBF

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRF620

MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB

vishay-siliconix

IRFU110PBF

MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA

vishay-siliconix

IRF644NSTRR

MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK

nexperia

BSH202,215

MOSFET P-CH 30V 520MA TO236AB