Производитель Номер продукта:
IRFBF30STRLPBF
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
IRFBF30STRLPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263
Подробное описание:
N-Channel 900 V 3.6A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
911 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12908061
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFBF30STRLPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1200 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IRFBF30
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
IRFBF30STRLPBFCT
IRFBF30STRLPBFTR
IRFBF30STRLPBFDKR
IRFBF30STRLPBF-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFT20N100P
MOSFET N-CH 1000V 20A TO268
IRC530PBF
MOSFET N-CH 100V 14A TO220-5
IRF820LPBF
MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
