IRFD020PBF
Производитель Номер продукта:

IRFD020PBF

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

IRFD020PBF-DG

Описание:

MOSFET N-CH 50V 2.4A 4DIP
Подробное описание:
N-Channel 50 V 2.4A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP

Инвентаризация:

6607 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12959792
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRFD020PBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
50 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
400 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
4-HVMDIP
Упаковка / Чехол
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Базовый номер продукта
IRFD020

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
2266-IRFD020PBF
*IRFD020PBF

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI7454CDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI3410DV-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP

vishay-siliconix

IRFR420TR

MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK

vishay-siliconix

SI4634DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 24.5A 8SO