Производитель Номер продукта:
IRFD9010PBF
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
IRFD9010PBF-DG
Описание:
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP
Подробное описание:
P-Channel 50 V 1.1A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP
Инвентаризация:
312 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12868793
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFD9010PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
50 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
500mOhm @ 580mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
240 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
4-HVMDIP
Упаковка / Чехол
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Базовый номер продукта
IRFD9010
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
100
Другие названия
*IRFD9010PBF
2266-IRFD9010PBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFP450
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
BUK966R5-60E,118
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
BUK9E4R9-60E,127
MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
