Производитель Номер продукта:
IRFDC20
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
IRFDC20-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
Подробное описание:
N-Channel 600 V 320mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Инвентаризация:
12886023
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
zXwR
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFDC20 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
320mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.4Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
4-HVMDIP
Упаковка / Чехол
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Базовый номер продукта
IRFDC20
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
*IRFDC20
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRFDC20PBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5886
Номер части
IRFDC20PBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.85
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF610
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
IRF610L
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO262
IRF624
MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
