IRFI644GPBF
Производитель Номер продукта:

IRFI644GPBF

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

IRFI644GPBF-DG

Описание:

MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 250 V 7.9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3

Инвентаризация:

4238 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12954935
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRFI644GPBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
280mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
40W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Базовый номер продукта
IRFI644

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRFI644GPBF

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
renesas-electronics-america

HAF1004-90STR-E

MOSFET P-CHANNEL 60V 5A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J351R,LXHF

AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23

renesas-electronics-america

2SJ559(0)-T1-A

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

vishay-siliconix

SIE860DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK