Производитель Номер продукта:
IRFIBF20GPBF
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
IRFIBF20GPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 900 V 1.2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
988 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12911674
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFIBF20GPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8Ohm @ 720mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
490 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
30W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Базовый номер продукта
IRFIBF20
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
IRFIBF20GPBF-DG
*IRFIBF20GPBF
742-IRFIBF20GPBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTT30N60P
MOSFET N-CH 600V 30A TO268
IRF840AS
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
SI1405DL-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
