IRFL110TRPBF-BE3
Производитель Номер продукта:

IRFL110TRPBF-BE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

IRFL110TRPBF-BE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Подробное описание:
N-Channel 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223

Инвентаризация:

3936 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12971950
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRFL110TRPBF-BE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
540mOhm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
180 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-223
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
IRFL110

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
742-IRFL110TRPBF-BE3TR
742-IRFL110TRPBF-BE3DKR
742-IRFL110TRPBF-BE3CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
panjit

PJD1NA60_L2_00001

600 V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJQ5410_R2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

vishay-siliconix

SUD19P06-60-BE3

MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK

panjit

PJQ2463A_R1_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M