IRFS11N50APBF
Производитель Номер продукта:

IRFS11N50APBF

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

IRFS11N50APBF-DG

Описание:

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Инвентаризация:

417 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12915445
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRFS11N50APBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
520mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1423 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
170W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IRFS11

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
75
Другие названия
*IRFS11N50APBF
2266-IRFS11N50APBF

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI7848BDP-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI8402DB-T1-E1

MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP

vishay-siliconix

SI2312BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

vishay-siliconix

SI4890DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC