Производитель Номер продукта:
IRFZ48RSPBF
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
IRFZ48RSPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 50A TO263
Подробное описание:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
7785 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12915532
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFZ48RSPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
18mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2400 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
190W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IRFZ48
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
*IRFZ48RSPBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7370DP-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
SIHD186N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A DPAK
IXTU50N085T
MOSFET N-CH 85V 50A TO251
