Производитель Номер продукта:
IRL630STRRPBF
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
IRL630STRRPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
12911193
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRL630STRRPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4V, 5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
400mOhm @ 5.4A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IRL630
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
IRL630STRRPBFCT
IRL630STRRPBFDKR
IRL630STRRPBFTR
IRL630STRRPBF-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RCJ120N20TL
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
33
Номер части
RCJ120N20TL-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.44
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTY08N100D2
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
IRLR024PBF
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
IRLD120PBF
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
