Производитель Номер продукта:
IRLI630GPBF
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
IRLI630GPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 200 V 6.2A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
991 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12914080
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRLI630GPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4V, 5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
400mOhm @ 3.7A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
35W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Базовый номер продукта
IRLI630
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRLI630GPBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4894BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
SI4425BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
SI4401DY-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
