Производитель Номер продукта:
SI1036X-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI1036X-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 610mA (Ta) 220mW Surface Mount SC-89-6
Инвентаризация:
3657 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12914621
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI1036X-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
610mA (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
540mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.2nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
36pF @ 15V
Мощность - Макс
220mW
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
SC-89-6
Базовый номер продукта
SI1036
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SI1036X-T1-GE3CT
742-SI1036X-T1-GE3TR
742-SI1036X-T1-GE3DKR
SI1036X-T1-GE3-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4276DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
SI6993DQ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP
SI5975DC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 3.1A 1206-8
