Производитель Номер продукта:
SI1058X-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI1058X-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 1.3A SC89-6
Подробное описание:
N-Channel 20 V 1.3A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Инвентаризация:
12912155
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI1058X-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
91mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.55V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.9 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
380 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
236mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-89 (SOT-563F)
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Базовый номер продукта
SI1058
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI1058X-T1-E3TR
SI1058X-T1-E3DKR
SI1058XT1E3
SI1058X-T1-E3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4684DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
SI3454ADV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.4A 6TSOP
IRFU1N60A
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA
