SI1302DL-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SI1302DL-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI1302DL-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Подробное описание:
N-Channel 30 V 600mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SC-70-3

Инвентаризация:

22512 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12961876
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI1302DL-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
600mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
480mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
280mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-70-3
Упаковка / Чехол
SC-70, SOT-323
Базовый номер продукта
SI1302

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI1302DL-T1-GE3TR
SI1302DL-T1-GE3DKR
SI1302DL-T1-GE3CT
SI1302DLT1GE3

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI4886DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO

vishay-siliconix

SI1405BDH-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6

vishay-siliconix

SI3451DV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.8A 6TSOP

vishay-siliconix

SUP65P04-15-E3

MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB