Производитель Номер продукта:
SI1307EDL-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI1307EDL-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 12V 850MA SC70-3
Подробное описание:
P-Channel 12 V 850mA (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3
Инвентаризация:
12916754
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI1307EDL-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
850mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
290mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
290mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-70-3
Упаковка / Чехол
SC-70, SOT-323
Базовый номер продукта
SI1307
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI1307EDL-T1-GE3CT
SI1307EDL-T1-GE3DKR
SI1307EDLT1GE3
SI1307EDL-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHA4N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220
SQD19P06-60L_T4GE3
MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA
SQR40030ER_GE3
MOSFET N-CH 40V TO252 REVERSE
