Производитель Номер продукта:
SI1308EDL-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI1308EDL-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Подробное описание:
N-Channel 30 V 1.4A (Tc) 400mW (Ta), 500mW (Tc) Surface Mount SC-70-3
Инвентаризация:
45442 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12917626
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI1308EDL-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
132mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4.1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
105 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
400mW (Ta), 500mW (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-70-3
Упаковка / Чехол
SC-70, SOT-323
Базовый номер продукта
SI1308
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI1308EDL-T1-GE3DKR
SI1308EDL-T1-GE3TR
SI1308EDL-T1-GE3CT
SI1308EDL-T1-GE3-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI2325DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
SIHD3N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A TO252AA
SI4686DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
