Производитель Номер продукта:
SI1427EDH-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI1427EDH-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
Подробное описание:
P-Channel 20 V 2A (Tc) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Инвентаризация:
3001 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12959658
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI1427EDH-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
64mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
21 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-70-6
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Базовый номер продукта
SI1427
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI1427EDH-T1-GE3CT
SI1427EDH-T1-GE3TR
SI1427EDHT1GE3
SI1427EDH-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFI740GLCPBF
MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220-3
SI5857DU-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
SI2334DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT23-3
