SI1470DH-T1-E3
Производитель Номер продукта:

SI1470DH-T1-E3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI1470DH-T1-E3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
Подробное описание:
N-Channel 30 V 5.1A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6

Инвентаризация:

12916253
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI1470DH-T1-E3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
66mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.6V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.5 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
510 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-70-6
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Базовый номер продукта
SI1470

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI1470DHT1E3
SI1470DH-T1-E3TR
SI1470DH-T1-E3DKR
SI1470DH-T1-E3CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIE818DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 75V 60A 10POLARPAK

vishay-siliconix

SIHU6N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 7A IPAK

vishay-siliconix

SI7868ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIA437DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70