Производитель Номер продукта:
SI1480BDH-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI1480BDH-T1-GE3-DG
Описание:
N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70
Подробное описание:
N-Channel 100 V 1.8A (Ta), 2.38A (Tc) 1.5W (Ta), 2.6W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Инвентаризация:
2965 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001164
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI1480BDH-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.8A (Ta), 2.38A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
212mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
206 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta), 2.6W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-70-6
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Базовый номер продукта
SI1480
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SI1480BDH-T1-GE3CT
742-SI1480BDH-T1-GE3DKR
742-SI1480BDH-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
630AT
N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
PMCA14UNYL
SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
DMWS120H100SM4
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4