Производитель Номер продукта:
SI1913DH-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI1913DH-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 880mA 570mW Surface Mount SC-70-6
Инвентаризация:
12955057
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI1913DH-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 P-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
880mA
Rds On (макс.) @ id, vgs
490mOhm @ 880mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Мощность - Макс
570mW
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
SC-70-6
Базовый номер продукта
SI1913
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI1913DH-T1-E3DKR
SI1913DH-T1-E3CT
SI1913DH-T1-E3TR
SI1913DHT1E3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
NTJD4152PT1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
15411
Номер части
NTJD4152PT1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.10
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FDG6304P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6300
Номер части
FDG6304P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.15
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TQM110NB04DCR RLG
MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU
SI7925DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A PPAK 1212
NDS9952A-F011
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8SOIC
