Производитель Номер продукта:
SI1926DL-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI1926DL-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 370mA 510mW Surface Mount SC-70-6
Инвентаризация:
3911 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12911828
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI1926DL-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
370mA
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 340mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.4nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
18.5pF @ 30V
Мощность - Макс
510mW
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
SC-70-6
Базовый номер продукта
SI1926
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI1926DL-T1-GE3CT
SI1926DL-T1-GE3-DG
SI1926DL-T1-GE3DKR
SI1926DL-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI5944DU-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET
SI4804CDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
SI1965DH-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6