Производитель Номер продукта:
SI1965DH-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI1965DH-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Подробное описание:
Mosfet Array 12V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6
Инвентаризация:
5645 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12913373
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI1965DH-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 P-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.3A
Rds On (макс.) @ id, vgs
390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4.2nC @ 8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
120pF @ 6V
Мощность - Макс
1.25W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
SC-70-6
Базовый номер продукта
SI1965
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI1965DH-T1-GE3TR
SI1965DH-T1-GE3DKR
SI1965DHT1GE3
SI1965DH-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4650DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
SI5515CDC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
SI4925BDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
